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DMG9N65CT

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制造商编号:
DMG9N65CT
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 9A(Tc) 165W(Tc) TO-220-3
规格说明书:
DMG9N65CT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.3 欧姆 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2310 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 165W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

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型号 品牌 参考价格 说明
IRF830PBF Vishay Siliconix ¥12.75000 类似
STP5NK60Z STMicroelectronics ¥15.82000 类似

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50 / PCS
包装
管件
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