IRFS23N20DPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IRFS23N20DPBF
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 200 V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
- 规格说明书:
- IRFS23N20DPBF说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 86 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1960 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.8W(Ta),170W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PHB33NQ20T,118 | Nexperia USA Inc. | ¥16.13000 | 类似 |
FQB34N20LTM | onsemi | ¥20.81000 | 类似 |
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- 管件
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