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IPI120N06S4H1AKSA1

Infineon photo

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制造商编号:
IPI120N06S4H1AKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:
通孔 N 通道 60 V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
规格说明书:
IPI120N06S4H1AKSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 270 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 21900 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO262-3-1
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装 500

价格库存

库存
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货期
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标准包装
500 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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