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IXTT2N170D2

IXYS photo

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制造商编号:
IXTT2N170D2
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Depletion
描述:
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
详细描述:
表面贴装型 N 通道 1700 V 2A(Tj) 568W(Tc) TO-268AA
规格说明书:
IXTT2N170D2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Depletion
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.5 欧姆 @ 1A,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 110 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3650 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 568W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-268AA
封装/外壳 TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥174.869807 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥244.543455 ¥244.54
10+ ¥225.55615 ¥2255.56
100+ ¥192.610422 ¥19261.04
500+ ¥174.869807 ¥87434.90

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