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IPI084N06L3GXKSA1
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- 制造商编号：
- IPI084N06L3GXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
- 规格说明书：
- IPI084N06L3GXKSA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 34µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4900 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3-1 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
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- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 管件
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