IXTP4N70X2M
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IXTP4N70X2M
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- Ultra X2
- 描述:
- MOSFET N-CH 700V 4A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 700 V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220 隔离的标片
- 规格说明书:
- IXTP4N70X2M说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | Ultra X2 |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 700 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 850 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 386 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 30W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 隔离的标片 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STP10NK60ZFP | STMicroelectronics | ¥28.49000 | 类似 |
TK7A60W5,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥13.13000 | 类似 |
R6008ANX | Rohm Semiconductor | ¥23.88000 | 类似 |
R6007ENX | Rohm Semiconductor | ¥17.20000 | 类似 |
IPA70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies | ¥10.21000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥28.359717 | ¥28.36 |
10+ | ¥25.508927 | ¥255.09 |
100+ | ¥20.902183 | ¥2090.22 |
500+ | ¥17.793693 | ¥8896.85 |
1000+ | ¥15.006781 | ¥15006.78 |
2000+ | ¥14.616972 | ¥29233.94 |