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SPP15N65C3HKSA1

Infineon photo

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制造商编号:
SPP15N65C3HKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™
描述:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
规格说明书:
SPP15N65C3HKSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 9.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 675µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1600 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 156W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STP18N65M5 STMicroelectronics ¥24.19000 类似
SIHP15N60E-GE3 Vishay Siliconix ¥23.73000 类似
STP16N65M5 STMicroelectronics ¥36.40000 类似

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标准包装
500 / PCS
包装
管件
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