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CSD86330Q3D
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- 制造商编号：
- CSD86330Q3D
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 25V 20A 6W 表面贴装型 8-LSON（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- CSD86330Q3D说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.6 毫欧 @ 14A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.2nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 920pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大值 | 6W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerLDFN |
| 供应商器件封装 | 8-LSON（3.3x3.3） |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥11.9648 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.156622 | ￥22.16 |
| 10+ | ￥19.928526 | ￥199.29 |
| 100+ | ￥16.019287 | ￥1601.93 |
| 500+ | ￥13.161282 | ￥6580.64 |
| 1000+ | ￥11.9648 | ￥11964.80 |
| 2500+ | ￥11.9648 | ￥29912.00 |
